تحلیل پدیده های غیرخطی در فوتونیک سیلیکونی

اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی CMOS قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تحقق قطعات اکتیو تمام-نوری مثل لیزر، تقویت کننده و مدولاتور استفاده کرد. از طرفی، Si-nc:SiO2 به عنوان ماده ای جدید، دارای خاصیت غیرخطی قوی تری نسبت به Si است. نتایج تحلیل های تمام-موج موجبر شیاری در رژیم های خطی و غیرخطی نشان می دهند که ناحیه شیار این موجبر می تواند ضمن جای دادن Si-nc:SiO2، شدت نور بالایی نیز داشته باشد. بنابراین، این موجبر از طریق دو عامل رفتارهای غیرخطی را تشدید می نماید.